我国“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术”取得突破

2017年12月20日

据科技部消息,光电子集成芯片及其材料关键工艺技术是新材料领域重要的发展方向之一,是未来高速大容量光纤通信、全光网络、下一代互联网、宽带光纤接入网所广泛依赖的技术。“十二五”期间,863计划新材料技术领域支持了“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术”主题项目。近日,863新材料技术领域办公室在北京组织专家对该主题项目进行了验收。

“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术” 项目针对光子集成中的关键问题,发展了新的器件结构和集成方法,在单一芯片上研究了多波长解复用阵列波导光栅(AW G)与波导探测器阵列的高效耦合集成方法及工艺,有效解决了结构和工艺兼容问题,实现了多波长并行高速波导探测器芯片集成;开展了硅基二氧化硅AW G、硅基PIN型可调光衰减器(VOA)器件制备工艺和集成芯片关键技术研究,制备出硅基AW G与VOA集成芯片。通过项目的产业化实用技术研究,形成16通道硅基平面光波回路型AW G芯片、VOA芯片的批量生产能力。

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